文章分類： 報告

2024 全球GaN Power Device市場分析報告

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 14 日 15:55 |
| 分類: 報告
語系：中文/英文 丨 格式：PDF 丨 頁數(shù)：約70頁 出刊時間：2024年8月 一、概況 -全球GaN Power Device產(chǎn)業(yè)格局 -全球GaN Power Device供應鏈情形 -全球GaN Power Device產(chǎn)業(yè)并購動態(tài) -全球主要半導體廠商布局 二、GaN ...  [詳內(nèi)文]

2024 全球SiC Power Device市場分析報告

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 26 日 17:11 |
| 分類: 報告
語系：中文/英文 丨 格式：PDF 丨 頁數(shù)：約70頁 出刊時間：2024年4月 一、概況 -全球SiC產(chǎn)業(yè)格局 -全球SiC供應鏈現(xiàn)狀 -全球SiC產(chǎn)業(yè)并購動態(tài) -全球主要SiC廠商業(yè)務(wù)布局 二、SiC Substrate市場分析 -SiC Substrate廠商分布 -Si...  [詳內(nèi)文]

2023 中國SiC功率半導體市場分析報告

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 20 日 16:01 |
| 分類: 報告
出刊日期: 2023年09月30日 報告語系: 中文/英文 報告格式: PDF 報告頁數(shù): 60 一、概況 -中國SiC供應鏈情形 -中國主要SiC供應商業(yè)務(wù)布局 -中國SiC功率半導體產(chǎn)值結(jié)構(gòu) 二、中國SiC襯底市場分析 -SiC襯底成本結(jié)構(gòu)分析 -SiC襯底價格趨勢 -SiC...  [詳內(nèi)文]

TrendForce《2023中國SiC功率半導體市場分析報告》出刊

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 18 日 18:02 |
| 分類: 報告
龐大的電力電子裝置市場，正在助推中國的SiC功率半導體產(chǎn)業(yè)快速成長，并形成了較為完整的本土供應鏈。與國際市場的IDM模式主導不同，中國市場受限于技術(shù)成熟度呈現(xiàn)出較為明顯的分工模式。 根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看，中國的SiC功率半導體產(chǎn)值以功率元件業(yè)（包含...  [詳內(nèi)文]

報告 | 中國SiC、GaN 產(chǎn)業(yè)動態(tài)分析

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 14 日 17:35 |
| 分類: 報告
在動力、能源與通訊革新下，部分受限于材料特性的 Si 組件逐漸被SiC、GaN 組件取代之趨勢無可逆轉(zhuǎn)。本篇報告主要在分析中國對于SiC、GaN 組件的長線需求背景，同時聚焦于中國本土供應鏈的發(fā)展機會與動態(tài)。 在數(shù)字化浪潮下，半導體已是云端與各式終端設(shè)備不可或缺的關(guān)鍵組件，其中云...  [詳內(nèi)文]

2023 全球GaN功率半導體市場分析報告

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 04 日 14:41 |
| 分類: 報告
出刊日期: 2023年06月30日 報告語系: 中文/英文 報告格式: PDF 報告頁數(shù): 60 一、概況 二、GaN Substrate/Epi-wafer市場分析 -GaN Substrate供應商分布 -GaN Substrate技術(shù)發(fā)展趨勢 -GaN Substrate...  [詳內(nèi)文]

2023 全球SiC功率半導體市場分析報告

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 04 日 14:38 |
| 分類: 報告
出刊日期: 2023年06月20日 報告語系: 中文/英文 報告格式: PDF 報告頁數(shù): 81 一、概況 二、SiC襯底市場分析 -概況 -SiC襯底廠商分布 -SiC襯底成本結(jié)構(gòu)分析 -SiC襯底技術(shù)發(fā)展趨勢 -SiC襯底生產(chǎn)設(shè)備情況 -SiC襯底價格趨勢 -SiC襯底...  [詳內(nèi)文]