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日本廠商研發(fā)鉆石半導(dǎo)體取得新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 18 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
9月16日，據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，鉆石功率半導(dǎo)體由合成鉆石制成，由于熱導(dǎo)性和其他特性，被稱為“終極半導(dǎo)體材料”。其性能比現(xiàn)有材料超出一個(gè)量級(jí)，隨著日本廠商研究取得進(jìn)展，鉆石功率半導(dǎo)體正逐漸接近商業(yè)化。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 據(jù)報(bào)道，鉆石特別適合用于功率半導(dǎo)體，因?yàn)槠潆姎鈴?qiáng)度約是硅的3...  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電、捷捷微電分別向子公司增資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 18 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
繼士蘭微之后，又有2家碳化硅相關(guān)廠商向子公司增資，分別是晶盛機(jī)電和捷捷微電，涉及金額合計(jì)超5億元。 晶盛機(jī)電旗下電子材料公司增資至10億 天眼查資料顯示，9月10日，浙江晶瑞電子材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱：晶瑞電子）發(fā)生工商變更，其注冊(cè)資本由5億人民幣增至10億人民幣。股東信息顯示，...  [詳內(nèi)文]

5.2億，天科合達(dá)加碼碳化硅設(shè)備賽道
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 14 日 18:00 | 分類 企業(yè)
這家國(guó)內(nèi)碳化硅襯底龍頭廠商，正在殺入碳化硅設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域。 9月10日，據(jù)“沈陽(yáng)高新區(qū)”官微消息，天科合達(dá)近日摘得北方芯谷新建區(qū)第一塊工業(yè)用地，將投資5.2億元建設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目。 據(jù)悉，遼寧省集成電路裝備及零部件產(chǎn)業(yè)園即北方芯谷，位于沈陽(yáng)市渾南區(qū)，總占地面積5.1平方...  [詳內(nèi)文]

長(zhǎng)光華芯：公司及全資子公司獲得政府補(bǔ)助1127.40萬(wàn)元
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 14 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月9日晚間，長(zhǎng)光華芯發(fā)布關(guān)于獲得政府補(bǔ)助的公告（以下簡(jiǎn)稱：公告）。 公告顯示，長(zhǎng)光華芯及全資子公司截至本公告披露之日，共獲得政府補(bǔ)助款項(xiàng)共計(jì)人民幣1127.40萬(wàn)元，其中與收益相關(guān)的政府補(bǔ)助1117.40萬(wàn)元，與資產(chǎn)相關(guān)的政府補(bǔ)助10萬(wàn)元。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 長(zhǎng)光華芯...  [詳內(nèi)文]

富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線開工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 13 日 18:00 | 分類 企業(yè)
氧化鎵憑借其性能與成本優(yōu)勢(shì)，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)熱度不斷上漲，頻頻傳出各類利好消息。 9月12日，據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：富加鎵業(yè)）官微消息，富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線于9月10日在杭州富陽(yáng)開工建設(shè)。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖...  [詳內(nèi)文]

時(shí)代電氣：已具備年產(chǎn)2.5萬(wàn)片6英寸碳化硅產(chǎn)能
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 13 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月10日，時(shí)代電氣參加投資者調(diào)研活動(dòng)，披露了其在功率半導(dǎo)體、信號(hào)系統(tǒng)、電驅(qū)系統(tǒng)等業(yè)務(wù)上的最新進(jìn)展情況。 其中，在碳化硅產(chǎn)品方面，時(shí)代電氣表示，其目前具備年產(chǎn)2.5萬(wàn)片6英寸碳化硅的產(chǎn)能，并已發(fā)布基于碳化硅器件的電驅(qū)系統(tǒng)，預(yù)計(jì)今年形成銷售，明年實(shí)現(xiàn)批量推廣。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正...  [詳內(nèi)文]

嘉晶電子8英寸碳化硅外延片預(yù)計(jì)Q4送樣
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 13 日 17:29 | 分類 企業(yè)
9月12日，據(jù)MoneyDJ報(bào)道，嘉晶電子今年上半年硅外延營(yíng)收年減12%，展望明年，公司認(rèn)為，硅外延明年需求將逐漸恢復(fù)。 在化合物半導(dǎo)體部分，因減碳趨勢(shì)，以及化合物半導(dǎo)體使用效率提升以及成本下降，未來(lái)需求會(huì)逐步上升，應(yīng)用市場(chǎng)包括在電動(dòng)車、AI、資料中心、機(jī)器人等，估化合物半導(dǎo)體的...  [詳內(nèi)文]

Soitec在歐洲啟動(dòng)Move2THz項(xiàng)目，開發(fā)基于InP的高頻半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 12 日 15:03 | 分類 企業(yè)
9月10日，據(jù)Soitec官網(wǎng)消息，由Soitec主導(dǎo)的歐洲研究和產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟已經(jīng)開始著手開發(fā)基于磷化銦（InP）的下一代高頻半導(dǎo)體。 source：Soitec 這項(xiàng)技術(shù)能夠滿足用于大型數(shù)據(jù)中心和AI的光子學(xué)，用于6G移動(dòng)通信的射頻前端和集成天線，以及亞太赫茲雷達(dá)傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用...  [詳內(nèi)文]

全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓問世
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 12 日 14:55 | 分類 企業(yè)
9月11日，英飛凌宣布，公司已成功開發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。 source：英飛凌 英飛凌表示，公司是全球首家在現(xiàn)有可擴(kuò)展的大批量生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的公司。這一突破將極大地推動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。 英飛凌表示，12英寸晶圓與...  [詳內(nèi)文]